[发明专利]碳化硅半导体器件

摘要

第一层（34）具有第一导电类型。第二层（35）被设置在第一层（34）上，使得第一层（34）的一部分从第二层（35）暴露，并且具有不同于第一导电类型的第二导电类型。第一至第三杂质区域（11-13）穿透第二层（35）并且到达第一层（34）。第一和第二杂质区域（11，12）具有第一导电类型。第三杂质区域（13）被布置在第一和第二杂质区域（11，12）之间，并且具有第二导电类型。第一至第三电极（S1、D1、G1）分别被设置在第一至第三杂质区域(11-13)上。肖特基电极(SK)被设置在第一层（34）的该部分上并且被电连接到第一电极（S1）。

主权项

一种碳化硅半导体器件（51），包括：碳化硅衬底（30），所述碳化硅衬底包括：第一层（34），所述第一层具有第一导电类型；和第二层（35），所述第二层被设置在所述第一层上，使得所述第一层的一部分被暴露，并且所述第二层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；所述碳化硅衬底具有第一杂质区域至第三杂质区域（11至13），所述第一杂质区域至第三杂质区域穿透所述第二层并且到达所述第一层，所述第一杂质区域和第二杂质区域中的每一个具有所述第一导电类型，并且所述第三杂质区域被布置在所述第一杂质区域和第二杂质区域之间并且具有所述第二导电类型；第一电极至第三电极（S1，D1，G1），所述第一电极至第三电极分别被设置在所述第一杂质区域至第三杂质区域上；以及肖特基电极（SK），所述肖特基电极被设置在所述第一层的所述一部分上并且被电连接到所述第一电极。