[发明专利]附加有微制作在管芯中的对准特征的光学框架在审
申请号: | 201280032416.0 | 申请日: | 2012-07-02 |
公开(公告)号: | CN103874944A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | B·H·金 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G02B6/13 | 分类号: | G02B6/13;G02B6/43 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种光子器件组件包括制作在芯片基底上的光子器件,芯片基底具有制作在其中的物理对准特征,以及将外部光学透镜或互连耦合至光子器件的框架。该框架具有与物理对准特征的互补面邻近的框架面。粘合剂将框架永久固定于由邻近面对准的光子器件上。形成光子器件组件的方法包括在光子器件的芯片基底内微制作物理对准特征,并且通过使耦合面接近制作的物理对准特征的互补面,将框架结合到芯片基底。 | ||
搜索关键词: | 附加 制作 管芯 中的 对准 特征 光学 框架 | ||
【主权项】:
一种形成光子器件组件的方法,包括:在芯片基底中微制作物理对准特征,所述芯片基底包括单片集成光子器件;通过将框架面接近所述物理对准特征的互补面,将框架结合至所述芯片基底,所述框架进一步与外部光学透镜或光学互连耦合;以及在所述框架和所述芯片基底之间施加粘合剂。
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