[发明专利]溅射用MgO靶材有效
| 申请号： | 201280032640.X | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103687977A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 佐野聪;西村芳宽;渡边高行;加藤裕三;植木明;味富晋三;高巢正信;原勇介;田中敬章 | 申请（专利权）人： | 宇部材料工业株式会社;日本钨株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/04;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射用MgO靶材，即使在使用MgO作为溅射用靶材的情况下，也能够在形成MgO膜时使成膜速度高速化。本发明的溅射用MgO靶材以MgO和导电性物质作为主要成分，其特征在于，所述导电性物质在通过DC溅射法与MgO一起成膜时，能够为所形成的MgO膜赋予取向性。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 mgo 靶材 | ||
【主权项】：
一种溅射用MgO靶材，该溅射用MgO靶材以MgO和导电性物质作为主要成分，其特征在于，所述导电性物质在通过DC溅射法与MgO一起成膜时，能够为所形成的MgO膜赋予取向性。
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