[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质

摘要

通过交替地进行规定次数如下工序而在衬底上形成包含规定元素的规定组成的薄膜：通过交替地进行规定次数的、向衬底供给包含规定元素和卤素基团的第一原料气体的工序、和向衬底供给包含规定元素和氨基的第二原料气体的工序从而在衬底上形成包含规定元素、氮及碳的第一层的工序；和通过向衬底供给与所述各原料气体不同的反应气体从而对第一层进行改性、形成第二层的工序。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述制造方法具有通过交替地进行规定次数的如下工序而在衬底上形成包含规定元素的规定组成的薄膜的工序：通过交替地进行规定次数的、向所述衬底供给包含所述规定元素和卤素基团的第一原料气体的工序、和向所述衬底供给包含所述规定元素和氨基的第二原料气体的工序，从而在所述衬底上形成包含所述规定元素、氮及碳的第一层的工序；和通过向所述衬底供给与所述各原料气体不同的反应气体，对所述第一层进行改性而形成第二层的工序。