[发明专利]碳纳米墙排列体以及碳纳米墙的制造方法有效
| 申请号： | 201280032880.X | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103648978A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 河原敏男;冈本一将;松本和彦;宇都宫里佐;松叶晃明;松本均 | 申请（专利权）人： | 学校法人中部大学;国立大学法人北海道大学;国立大学法人大阪大学;日新电机株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本爱知县*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 排列 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米墙排列体，包括：基板，在一主面上呈条纹状或网格状地形成有凹凸形状；以及多个碳纳米墙，沿着所述凹凸形状的凸部的长度方向而形成在所述凸部上，所述基板的面内方向上的所述凸部的宽度窄于所述基板的面内方向上的所述凹凸形状的凹部的宽度，且所述凸部的宽度为0.5μm以下。
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