[发明专利]半导体制造装置的原料气体供给装置有效
申请号: | 201280033804.0 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN103649367A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 永濑正明;日高敦志;平田薰;土肥亮介;西野功二;池田信一 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士金 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;H01L21/31 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;李婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流孔,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流孔加热至设定温度,在本发明中,将自动压力调整器下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 原料 气体 供给 | ||
【主权项】:
一种半导体制造装置的原料气体供给装置,其特征在于,构成为包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流部,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流部加热至设定温度,将自动压力调整器的下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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