[发明专利]树脂封装型半导体装置的制造方法以及树脂封装型半导体装置

摘要

本发明树脂封装型半导体装置10是一种包括台面型半导体元件100，以及封装台面型半导体元件100的铸模用树脂40的树脂封装型半导体装置10；并且，通过实施将沟道的内面氧化从而形成基底氧化层121的基底氧化层形成工序，形成通过基底氧化层覆盖沟道的内面的由铅系玻璃复合物构成的玻璃复合物层的玻璃复合物层形成工序，以及在铅系玻璃复合物的溶倒点Tf以下的温度下烧制玻璃复合物层的烧制工序，来形成铅系玻璃层124。本发明的树脂封装型半导体装置虽然与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模的结构，但是一种比以往的树脂封装型半导体装置具有更高的高温反偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

主权项

一种树脂封装型半导体装置的制造方法，依次包含：准备具有与主面平行的PN结的半导体基板的半导体基板准备工序；从所述半导体基板的一侧的表面形成深度超过所述PN结的沟道的沟道形成工序；形成覆盖所述沟道的内面的铅系玻璃层的玻璃层形成工序；通过沿所述沟道将所述半导体基板切断，制作台面型半导体元件的半导体基板切断工序；以及将所述台面型半导体元件使用铸模用树脂封装的树脂封装工序，其特征在于：其中，所述玻璃层形成工序包含：将所述沟道的内面氧化从而形成基底氧化层的基底氧化层形成工序；形成通过所述基底氧化层覆盖所述沟道的内面的由铅系玻璃复合物构成的玻璃复合物层的玻璃复合物层形成工序；以及在所述铅系玻璃复合物的溶倒点Tf以下的温度下烧制所述玻璃复合物层的烧制工序。