[发明专利]氮化镓类化合物半导体发光元件及包括该氮化镓类化合物半导体发光元件的光源装置无效
| 申请号： | 201280034135.9 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103650177A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吉田俊治;加藤亮;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205;H01L33/06;H01L33/18 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化镓类化合物半导体发光元件具有由一般式为AlxInyGazN(0≤x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1、x＋y＋z＝1)的氮化物半导体形成、生长面具有非极性面或者半极性面的发光层(105)。氮化物半导体的生长面具有显示各向异性的二轴，氮化物半导体中的In组成具有在二轴中第一轴之轴方向上变化的分布，且In组成较低之区域和In组成较高之区域的交界面(51)自与第一轴垂直的面朝着生长面方向倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 发光 元件 包括 光源 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化镓类化合物半导体发光元件，其特征在于：包括由一般式为AlxInyGazN(0≤x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1、x＋y＋z＝1)的氮化物半导体形成、生长面具有非极性面或者半极性面的发光层，所述氮化物半导体的生长面具有显示各向异性的二轴，所述氮化物半导体中的In组成具有在所述二轴中第一轴之轴方向上变化的分布，且In组成较低之区域和In组成较高之区域的交界面自与所述第一轴垂直的面朝着所述生长面方向倾斜。
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