[发明专利]太阳电池用聚合物片与其制造方法及太阳电池模组有效
| 申请号： | 201280034484.0 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103650162B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 山田仁;桥本斉和;竹上竜太;南一守 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/049 | 分类号： | H01L31/049;B32B27/00;B32B27/30;H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种太阳电池用聚合物片，其包含依序配置的第1聚合物层、第2聚合物层及聚合物支撑体，所述第1聚合物层含有选自由氟聚合物及硅酮聚合物所组成的组群中的聚合物，所述第1聚合物层与所述第2聚合物层接触，且所述第1聚合物层与所述第2聚合物层的界面的粗糙度(Rz)为0.2μm～3.0μm的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 聚合物 与其 制造 方法 模组 | ||
【主权项】：
一种太阳电池用聚合物片，其包含依序配置的第1聚合物层、第2聚合物层及聚合物支撑体，其中所述第1聚合物层含有选自由氟聚合物及硅酮聚合物所组成的组群中的聚合物，所述第1聚合物层与所述第2聚合物层接触，且所述第1聚合物层与所述第2聚合物层的界面的粗糙度Rz为0.2μm～3.0μm的范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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