[发明专利]具有活性层的氢气传感器和生产氢气传感器的方法在审
| 申请号： | 201280034866.3 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103649736A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | Y·克劳斯;E·科勒;J-P·拉平;M·斯塔尔德 | 申请（专利权）人： | 斯沃奇集团研究和开发有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐国栋;林柏楠 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 包含材料的活性层沉积于其上的基质(S)的氢气传感器，所述材料包含选自稀土族的第一元素、选自铂系金属(PGM)的第二元素和选自碱土金属族的第三元素。所述材料的一个实例为LaMg2Pd。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 活性 氢气 传感器 生产 方法 | ||
【主权项】：
包含材料的活性层(2)沉积于其上的基质(S)的氢气传感器，所述材料包含第一元素、第二元素和第三元素，所述第一元素选自稀土族或至少两种稀土族元素的组合，第二元素选自铂系金属(PGM)或至少两种铂系金属(PGM)元素的组合，且第三元素选自碱土金属族或至少两种碱土金属族元素的组合，所述传感器用于环境温度下氢气的吸收和解吸。
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