[发明专利]纳米结构的SPR传感器装置有效
| 申请号： | 201280034959.6 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103649724B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚·瓦尔塞西亚;弗兰科·马拉贝利;西尔维娅·朱迪卡蒂;杰拉尔多·马尔凯西尼;弗朗索瓦·罗西;帕斯卡尔·科尔波 | 申请（专利权）人： | 欧洲联盟;由欧洲委员会代表;普莱斯莫尔有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 一种传感器装置，包括电介质基片（52）；和在基片（52）上的金属层（53），其中具有至少一个空腔（54）的阵列，并且适于支持L‑SPR，在金属层（53）中的每一个空腔（54）具有开口（56）和封闭的底部（58），且从开口到底部逐渐加宽。在每一个空腔（54）的底部（58）上提供有电介质材料的床层（62）以降低其表观深度，床层表面（62）被官能化以结合受体部分（64）。这种传感器装置是特别为SPR检测设计的，但也可以用于其它检测技术中。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 spr 传感器 装置 | ||
【主权项】：
一种传感器装置，包括：电介质基片；在所述基片上的金属层，其中具有至少一个纳米空腔的阵列，并且适于支持L‑SPR，在所述金属层中的每一个所述空腔具有一定深度、开口、和封闭的底部，并且从开口到底部加宽以在所述空腔开口周围形成强电场分布；其中，在每一个空腔的所述底部上提供有电介质材料的床层，以形成降低的表观深度，床层表面被官能化以结合受体部分；其中，所述电介质床层的厚度设计为使得当分析物与所述受体部分结合时，所述分析物至少部分位于强电场区域。
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