[发明专利]具有对称切换及单方向电流编程的自旋力矩转移磁性存储器单元结构有效
| 申请号： | 201280035072.9 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN103650053B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孙宝成 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于使用单向及／或对称编程电流来编程自旋力矩转移磁性随机存取存储器STT‑MRAM单元的技术。单向编程电流沿一个方向流动穿过所述STT‑MRAM单元的自由区域以沿至少两个不同方向切换所述自由区域的磁化。对称编程电流使用实质上类似电流量值将所述自由区域的所述磁化切换到所述两个不同方向中的任一者。在一些实施例中，所述STT‑MRAM单元包含：两个固定区域，其各自具有沿相反方向的固定磁化；及自由区域，其经配置以被磁化切换为与所述固定区域中的一者的所述磁化平行或反平行。将所述自由区域切换到不同磁化方向可涉及将所述编程电流引导穿过所述两个经相反磁化固定区域中的一者。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 切换 方向 电流 编程 自旋 力矩 转移 磁性 存储器 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种自旋力矩转移磁性随机存取存储器STT‑MRAM单元结构，其包括：非磁性区域，其具有至少第一侧、平行于所述第一侧的第二侧以及垂直于所述第一侧及所述第二侧中的每一者的第三侧；第一固定区域，其直接沿着所述非磁性区域的所述第一侧安置；第二固定区域，其直接沿着所述非磁性区域的所述第二侧安置；及自由区域，其沿着所述非磁性区域的所述第三侧安置并接触所述非磁性区域，其中所述STT‑MRAM单元经配置以使得在所述STT‑MRAM单元的操作期间，编程电流流动穿过所述非磁性区域到达所述第一固定区域或所述第二固定区域。
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