[发明专利]用于选择性地锚定且暴露大量的纳米级结构的方法无效
| 申请号： | 201280035116.8 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103717527A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 莫泰扎·格哈比;德莱克·林德克莱史特;以利亚·B·桑塞姆 | 申请（专利权）人： | 加州理工学院 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 高瑜;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于将纳米级结构固定在锚定结构中以形成纳米结构复合材料的方法及由此形成的纳米结构复合材料。在锚定基质上形成主要流体层。纳米结构被提供在初始基质上，所述纳米结构具有关于初始基质的限定的高度和方向。将纳米结构引入到主要流体层的所需深度，使得纳米结构相对于生长基质的方向基本上被保持。主要流体层包括一个或多个流体层。多重流体层中的一些被选择为使得当被改变以形成锚定结构时，锚定结构的一部分可以被除去，允许从纳米结构被固定到其中的锚定结构暴露纳米结构的至少一部分。除去生长基质。可以从锚定结构暴露纳米结构的末端或其它部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 锚定 暴露 大量 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将多个纳米级结构固定在锚定结构中的方法，包括以下行为：在锚定基质上提供主要流体层；在选自由锚定结构和在其上生长纳米结构的生长基质组成的组的初始基质上提供多个纳米结构，所述纳米结构各自具有关于所述初始基质的限定的高度和方向；以及将所述多个纳米结构引入到所述主要流体层的所需深度，使得所述纳米结构相对于所述生长基质的所述方向基本上被保持；其中所述主要流体层包括多重流体层；且其中所述多重流体层中的一些被选择为使得当被改变以形成锚定结构时，所述锚定结构的一部分能够被除去，留下允许暴露所述纳米结构的至少一部分的锚定结构。
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