[发明专利]具有缩合系聚合物的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物

摘要

本发明的课题是提供用于使用了EUV光刻的器件制作工序，降低由EUV带来的不良影响，对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有式(1)：(式中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自表示氢原子、甲基或乙基，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)，Q表示式(5)或式(6))所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂。包含具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、交联性化合物和溶剂的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。

主权项

1.一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含：具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂，式中，A₁、A₂、A₃、A₄、A₅和A₆各自表示氢原子、甲基或乙基，X₁表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)，Q表示式(5)或式(6)，式中R₁和R₂各自表示氢原子、卤原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的链烯基、苄基或苯基，而且所述碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的链烯基、苄基和苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基、羟基、羧基和碳原子数1～6的烷硫基中的基团所取代，此外，R₁与R₂可以互相结合而形成碳原子数3～6的环，R₃表示卤原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的链烯基、苄基或苯基，而且所述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基、羟基和碳原子数1～6的烷硫基中的基团所取代，式中Q₁表示碳原子数1～10的亚烷基、亚苯基、亚萘基或亚蒽基，而且所述亚烷基、亚苯基、亚萘基和亚蒽基各自可以被碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～7的羰氧基烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、苯基、硝基、氰基、羟基、碳原子数1～6的烷硫基、具有二硫基的基团、羧基或它们组合而成的基团所取代，n₁和n₂各自表示0或1的数，X₂表示式(2)、式(3)或式(0)。