[发明专利]含钛和硅的光刻用薄膜形成用组合物

摘要

本发明提供用于形成在半导体装置的制造中使用的抗蚀剂下层膜等的薄膜形成用组合物。而且，提供能够使在极紫外光刻中不受欢迎的UV光在抵达抗蚀剂层前就被抗蚀剂上层存在的薄膜高效吸收的抗蚀剂上层膜、以及极紫外抗蚀剂用下层膜(硬掩模)、图案反转材料、溶剂显影用抗蚀剂的下层膜。本发明提供了一种在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物，所述钛化合物(A)选自下述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体，所述硅化合物(B)以下述式(2)表示，相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％。ROaTi(R1)(4‑a)    式(1)R2a'R3bsi(R4)4‑(a'+b)    式(2)。

主权项

一种在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物，所述钛化合物(A)选自下述式(1)所表示的化合物、水解性钛络合物、和水解性钛二聚体，R0aTi(R1)(4‑a)   式(1)式(1)中，R0表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、或氰基的有机基团，其通过Ti‑C键与钛原子键合，R1表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a表示整数0～2；所述硅化合物(B)以下述式(2)表示，R2a’R3bSi(R4)4‑(a’+b)   式(2)式(2)中，R2表示：式(4)所示的有机基团、咪唑基或含有咪唑基的有机基团、芳香族稠环基或含有它的有机基团、烷氧基烷基取代芳基或含有它的有机基团、烷氧基烷氧基烷基取代芳基或含有它的有机基团、或者联芳基或含有它的有机基团，R2通过Si‑C键与硅原子键合，R3表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、或氰基的有机基团，其通过Si‑C键或Si‑N键与硅原子键合，R4表示烷氧基、酰氧基、或卤原子，a’表示整数1，b表示整数0或1，(a’+b)表示整数1或2，相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％，式(4)中，R7表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基、脂肪族烯基、环氧基、磺酰基、或含有它们的有机基团，R8表示碳原子数1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们的组合，X1表示式(5)、式(6)、或式(7)所示的基团，在式(5)、式(6)和式(7)中，R9～R13分别独立地表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基、脂肪族烯基、环氧基、磺酰基、或含有它们的有机基团。