[发明专利]隧道场效应晶体管有效
| 申请号： | 201280035798.2 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103688362B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | K·E·莫斯伦德;P·斯坦利-马伯尔;A·C·多林;M·T·比约克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 酆迅,张宁 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种隧道场效应晶体管（1），该隧道场效应晶体管包括至少源极区域（2），包括对应源极半导体材料；至少漏极区域（3），包括对应漏极半导体材料；以及在源极区域（2）与漏极区域（3）之间布置的至少沟道区域（4），包括对应沟道半导体材料。隧道场效应晶体管（1）还包括在源极区域（2）与沟道区域（4）之间的至少界面（5’）上提供的至少源极‑沟道栅极电极（5）；在源极‑沟道栅极电极（5）与在源极区域（2）与沟道区域（4）之间的至少界面（5’）之间提供的与源极‑沟道栅极电极（5）对应的至少绝缘体（5’’）；在漏极区域（3）与沟道区域（4）之间的至少界面（6’）上提供的至少漏极‑沟道栅极电极（6）；以及在漏极‑沟道栅极电极（6）与在漏极区域（3）与沟道区域（4）之间的至少界面（6）之间提供的与漏极‑沟道栅极电极（6）对应的至少绝缘体（6’’）。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种隧道场效应晶体管(1)，包括：至少源极区域(2)，包括对应的源极半导体材料；至少漏极区域(3)，包括对应的漏极半导体材料；以及在所述源极区域(2)与所述漏极区域(3)之间布置的至少沟道区域(4)，包括对应的沟道半导体材料；所述隧道场效应晶体管(1)还包括：在所述源极区域(2)与所述沟道区域(4)之间的至少界面(5’)上提供的至少源极‑沟道栅极电极(5)；在所述源极‑沟道栅极电极(5)与在所述源极区域(2)与所述沟道区域(4)之间的至少所述界面(5’)之间提供的与所述源极‑沟道栅极电极(5)对应的至少绝缘体(5”)；在所述漏极区域(3)与所述沟道区域(4)之间的至少界面(6’)上提供的至少漏极‑沟道栅极电极(6)；以及在所述漏极‑沟道栅极电极(6)与在所述漏极区域(3)与所述沟道区域(4)之间的至少所述界面(6’)之间提供的与所述漏极‑沟道栅极电极(6)对应的至少绝缘体(6”)。
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