[发明专利]铜/钼系多层薄膜用蚀刻液有效
| 申请号： | 201280037180.X | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103717787A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 冈部哲;安谷屋智幸;丸山岳人 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/308;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种蚀刻液，以及使用该蚀刻液选择性地蚀刻具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置中的铜/钼系多层薄膜的方法，所述蚀刻液能够从具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置选择性蚀刻铜/钼系多层薄膜，其特征在于，其包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳数2～10且具有氨基以及选自氨基和羟基中的至少一种基团的胺化合物、（E）唑类、以及（F）过氧化氢稳定剂，该蚀刻液的pH为2.5～5。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 薄膜 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种蚀刻液，其特征在于，其为能够在具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置中选择性蚀刻铜/钼系多层薄膜的蚀刻液，其包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳数2～10且具有氨基以及选自氨基和羟基中的至少一种基团的胺化合物、（E）唑类以及（F）过氧化氢稳定剂，该蚀刻液的pH为2.5～5。
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