[发明专利]半导体元件用散热器件有效
| 申请号： | 201280037344.9 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103733331A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 广津留秀树;塚本秀雄;石原庸介 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;B22D18/02;C22C26/00;C22C32/00;C22F1/00;C22F1/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金明花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件用散热器件，其于包含含有40～70体积%的金刚石粒子且剩余部分是以铝为主成分的金属、厚度为0.4～6mm的板状体的两面，被覆由以铝为主成分的金属或铝-陶瓷系复合材料形成的被覆层而形成铝-金刚石系复合体，在其至少两主面，从主面侧依序形成(1)膜厚0.1～1μm的非晶态的Ni合金层、(2)膜厚1～5μm的Ni层、及(3)膜厚0.05～4μm的Au层而成，此处，Ni合金层和Ni层的比率(Ni合金层厚/Ni层厚)为0.3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 散热 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件用散热器件，其特征为，于板状体的两面被覆被覆层而形成铝‑金刚石系复合体，所述板状体包含含有40体积%～70体积%的金刚石粒子且剩余部分是以铝为主成分的金属、厚度为0.4～6mm，所述被覆层由以铝为主成分的金属或铝‑陶瓷系复合材料形成，于所述铝‑金刚石系复合体的至少两主面，从主面侧依序形成(1)膜厚0.1～1μm的非晶态的Ni合金层、(2)膜厚1～5μm的Ni层、及(3)膜厚0.05～4μm的Au层而成，此处，Ni合金层和Ni层的比率、即Ni合金层厚/Ni层厚为0.3以下。
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