[发明专利]III族氮化物金属绝缘体半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201280037909.3 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103718300A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 储荣明;大卫·F·布朗;陈旭;亚当·J·威廉姆斯;卡里姆·S·保特罗斯 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;顾丽波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种场效应晶体管（FET）包括：III族氮化物沟道层；沟道层上的III族氮化物势垒层，其中势垒层的能带带隙大于沟道层的能带带隙；与一个III族氮化物层电耦接的源极；与一个III族氮化物层电耦接的漏极；用于将栅极与势垒层和沟道层电绝缘的栅极绝缘层叠层，其包括例如SiN的绝缘层，以及AlN层；位于源极与漏极之间的区域的栅极，其与绝缘层接触；并且其中AlN层与一个III族氮化物层接触。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 金属 绝缘体 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管（FET），包括：III族氮化物沟道层；III族氮化物势垒层，位于所述沟道层之上，其中势垒层的能带带隙大于沟道层的能带带隙；源极，其与一个III族氮化物层电耦接；漏极，其与一个III族氮化物层电耦接；栅极绝缘层叠层，用于将栅极与所述势垒层和所述沟道层电绝缘，所述栅极绝缘层叠层包括：例如SiN的绝缘层；以及AlN层；以及栅极，位于所述源极与所述漏极之间的区域，并与所述绝缘层接触；其中所述AlN层与一个III族氮化物层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HRL实验室有限责任公司，未经HRL实验室有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280037909.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：模块化防爆变频器机芯结构
- 下一篇：交交变频器电压电流变周期采样装置
- 同类专利
- 专利分类
