[发明专利]Zn-Sn-O系氧化物烧结体及其制造方法有效
| 申请号： | 201280038069.2 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103717779A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 曾我部健太郎;小泽诚 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C04B35/453;C04B35/457;C23C14/34 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够作为溅射靶或蒸镀用料片加以利用且在成膜中难以产生裂纹等的Zn-Sn-O系氧化物烧结体及其制造方法。上述氧化物烧结体的特征在于，其含有以Sn/(Zn＋Sn)的原子数比计为0.01～0.6的锡，烧结体中的平均结晶粒径为4.5μm以下，且在将基于使用CuKα射线的X射线衍射的Zn2SnO4相的（222）面、（400）面的积分强度分别设为I(222)、I(400)时，以I(222)/[I(222)＋I(400)]表示的取向度为0.52以上。由于该氧化物烧结体机械强度得到了改善，所以在加工烧结体时难以引起破损，并且在作为溅射靶或蒸镀用料片使用时，也难以在透明导电膜的成膜中引起烧结体的破损、裂纹的产生。 | ||
| 搜索关键词： | zn sn 氧化物 烧结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Zn‑Sn‑O系氧化物烧结体，其是在采用溅射法或蒸镀法制造透明导电膜时作为溅射靶或蒸镀用料片使用的Zn‑Sn‑O系氧化物烧结体，其特征在于，含有以Sn/(Zn＋Sn)的原子数比计为0.01～0.6的锡，烧结体中的平均结晶粒径为4.5μm以下，并且，当将基于使用CuKα射线的X射线衍射的Zn2SnO4相中的（222）面、（400）面的积分强度分别设为I(222)、I(400)时，以I(222)/[I(222)＋I(400)]表示的取向度为0.52以上。
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