[发明专利]溅射蚀刻工具及衬层无效
| 申请号： | 201280038145.X | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103718269A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 笹川照夫 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孙宝成 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于制造等离子蚀刻反应室内的机电系统装置的系统、方法及设备。在一方面中，等离子蚀刻系统包含等离子蚀刻反应室；入口，其与所述反应室流体连通；阴极，其定位于所述反应室内；及非中空阳极，其定位于所述入口与所述阴极之间的反应室内。所述入口经配置以将处理气体引入所述反应室中，使得所述处理气体的至少一部分撞击所述阳极的上表面且允许其跨所述上表面且在所述阳极的边缘周围流动。所述阳极可为代替喷洒头的衬层板。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 蚀刻 工具 | ||
【主权项】：
一种等离子蚀刻系统，其包括：等离子蚀刻反应室；入口，其经配置以与所述反应室流体连通；阴极，其包含定位于所述反应室内的衬底支撑件；及非中空阳极，其定位于所述入口与所述阴极之间的所述反应室内，其中所述入口经配置以将处理气体引入所述反应室中，使得允许所述处理气体的至少一部分跨所述阳极的上表面且在所述阳极的边缘周围流动。
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