[发明专利]使用混合式分裂束激光划线处理及等离子体蚀刻的晶圆切割

摘要

本发明描述切割各具有多个集成电路的半导体晶圆的方法。所述方法包括在所述半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖及保护所述集成电路的层所组成。以分裂束激光划线处理将所述掩模图案化，以提供具有多个间隙的经图案化的掩模。所述图案化曝露位于所述集成电路之间所述半导体晶圆的区域。之后，透过经图案化的掩模上的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。

主权项

一种切割包含多个集成电路的半导体晶圆的方法，所述方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模包含覆盖及保护所述集成电路的层；以分裂束激光划线处理将所述掩模和所述半导体晶圆的一部分图案化，以提供具有多个间隙的经图案化的掩模并在所述集成电路之间形成部分进入但不穿透所述半导体晶圆的沟道，各沟道在所述半导体晶圆上形成的开口具有预定宽度；以及透过所述经图案化的掩模中的所述间隙对所述半导体晶圆进行等离子体蚀刻使得所述沟道向下延伸以单分所述集成电路，其中，延伸得到的所述沟道具有所述预定宽度，其中，以所述分裂束激光划线处理将所述掩模和所述半导体晶圆的所述部分图案化的步骤包括以下步骤：使用基于飞秒的激光。