[发明专利]在涂布后研磨前切割无效
| 申请号： | 201280038320.5 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103999203A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | G·黄;Y·金;R·吉诺;Q·黄 | 申请（专利权）人： | 汉高知识产权控股有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 祁丽;于辉 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及将半导体晶圆单体化成单个半导体裸片的方法，所述半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块，并具有设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层。所述方法包括：(A)提供半导体晶圆，其顶部表面具有金属预连接凸块的阵列和设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层；(B)穿过所述金属预连接凸块之间的所述底部填充剂切割并切入所述半导体晶圆的所述顶部表面中至最终所需晶圆厚度，产生切割线；以及(C)从晶圆背侧除去晶圆材料至少至所述切割线的深度，从而由所述晶圆单体化得到的裸片。 | ||
| 搜索关键词： | 涂布后 研磨 切割 | ||
【主权项】：
将半导体晶圆单体化成单个半导体裸片的方法，所述半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块，并具有设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层，所述方法包括：(A)提供半导体晶圆，该半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块的阵列和设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层；(B)穿过所述金属预连接凸块之间的所述底部填充剂切割并切入所述半导体晶圆的顶部表面中至最终所需晶圆厚度，产生切割线；以及(C)从晶圆背侧除去晶圆材料至少至所述切割线的深度，从而由所述晶圆单体化得到的裸片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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