[发明专利]用于高密度电感器的薄膜结构和晶片级封装中的重分布无效
| 申请号： | 201280038455.1 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103718292A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·福西尔;道格拉斯·斯科特 | 申请（专利权）人： | 弗利普芯片国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了包括晶片衬底和金属堆叠籽晶层的封装。金属堆叠籽晶层包括钛薄膜外层。提供与金属堆叠籽晶层的钛薄膜外层接触的抗蚀剂层，该抗蚀剂层形成电路。进一步公开了用于制造封装的方法。形成具有钛薄膜外层的金属堆叠籽晶层。形成抗蚀剂层从而与金属堆叠籽晶层的钛薄膜外层接触，并且由抗蚀剂层形成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高密度 电感器 薄膜 结构 晶片 封装 中的 分布 | ||
【主权项】：
一种封装，包括：晶片衬底；包括钛薄膜外层的金属堆叠籽晶层；以及与所述金属堆叠籽晶层的所述钛薄膜外层接触的抗蚀剂层，所述抗蚀剂层形成电路。
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