[发明专利]具有砜结构的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，含有作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，该硅烷为下述式（1）所示的化合物，〔(R1)aSi(R2)(3‑a)〕b(R3)  式（1）  式（1）中，R3表示含有磺酰基和吸光基、以Si‑C键与Si原子键合的有机基团，R1是烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、烷氧基芳基、酰基氧基芳基、异氰脲酸酯基、羟基、环状氨基或氰基的有机基团、或它们的组合，其表示以Si‑C键与Si原子键合的有机基团，R2表示烷氧基、酰基氧基或卤素基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数。

主权项

一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，含有作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性有机硅烷为下述式(1)所示的化合物与选自式(3)和式(4)中的至少一种有机硅化合物的组合，[化1]〔(R1)aSi(R2)(3‑a)〕b(R3)   式(1)式(1)中，R3表示含有磺酰基和吸光基、以Si‑C键与Si原子键合的有机基团，R1是烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、烷氧基芳基、酰基氧基芳基、异氰脲酸酯基、羟基、环状氨基或氰基的有机基团、或它们的组合，其表示以Si‑C键与Si原子键合的有机基团，R2表示烷氧基、酰基氧基或卤素基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数，[化3]R1aSi(R2)4‑a   式(3)式(3)中，R1表示烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、烷氧基芳基、酰基氧基芳基、异氰脲酸酯基、羟基、环状氨基或氰基的有机基团、或它们的组合，且其通过Si‑C键与硅原子键合，R2表示烷氧基、酰基氧基或卤素基，a表示0～3的整数，[化4]〔R1cSi(R2)3‑c〕2Yb   式(4)式(4)中，R1表示烷基，R2表示烷氧基、酰基氧基或卤素基，Y表示亚烷基或亚芳基，b表示0或1的整数，c表示0或1的整数，上述式(1)的R3为下述式(2)所示的基团，[化2]式(2)中，R4、Ar1、R5、Ar2和R6中的1个～3个基团以Si‑C键与Si原子键合，R4表示可具有硫醚键或醚键的1价～4价的烃基，R5表示可具有硫醚键或醚键的2价～4价的烃基，R6表示可被取代的1价～4价的烃基，Ar1和Ar2分别表示可被取代的碳原子数6～20的亚芳基或芳基，n2表示整数1，n1、n3、n4和n5分别表示整数0或1，n4和n5不同时为整数0。