[发明专利]光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法有效
| 申请号： | 201280039344.2 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103733136B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 越后雅敏;东原豪;内山直哉 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C07D311/96 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料等。本发明的光刻用下层膜形成材料的特征在于，其含有下述通式(1)所示的化合物。(式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1各自独立地是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的链烯基或羟基，其中，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～6的整数，n是1～4的整数。) | ||
| 搜索关键词： | 光刻 下层 形成 材料 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻用下层膜形成材料，其特征在于，其含有下述通式(1)所示的化合物、产酸剂和交联剂，式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1各自独立地是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的链烯基或羟基，其中，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～6的整数，n是1～4的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱瓦斯化学株式会社，未经三菱瓦斯化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280039344.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种组合式自绷网丝印网框
- 下一篇：丝印机械手
