[发明专利]非极性和半极性绿光发光器件中的空穴阻挡层

摘要

在此提供了发光器件，该发光器件包括内插在该器件的n型和p型侧之间的有源区域以及内插在该器件的有源区域和n型侧之间的空穴阻挡层。该有源区域包括有源MQW结构并且被配置成用于光谱的绿光部分内的光子的电泵浦受激发射。该发光器件的n型侧包括n掺杂的半导体区域。该发光器件的p型侧包括p掺杂的半导体区域。该n掺杂的半导体区域包括n掺杂的非极性或n掺杂的半极性衬底。根据本公开的空穴阻挡层包括n掺杂的半导体材料并且内插在该发光器件的该非极性或半极性衬底和该有源区域之间。空穴阻挡层（HBL）组成的特征是带隙比有源区域的量子阱势垒层的带隙宽。

主权项

一种发光器件，包括内插在所述器件的n型和p型侧之间的有源区域以及内插在所述器件的所述有源区域和所述n型侧之间的空穴阻挡层，其中：所述器件的所述n型和p型侧包括III族氮化物（III‑N）半导体化合物；所述有源区域包括有源MQW结构并且被配置成用于光谱的绿光部分内的光子的电泵浦受激发射；所述发光器件的所述n型侧包括n掺杂的半导体区域；所述发光器件的所述p型侧包括p掺杂的半导体区域；所述n掺杂的半导体区域包括n掺杂的非极性或n掺杂的半极性衬底；所述空穴阻挡层（HBL）包括n掺杂的半导体材料并且内插在所述非极性或半极性衬底和所述有源区域之间；所述有源区域的有源MQW结构包括与多个量子阱势垒层交替接续的多个纳米级量子阱；以及HBL组成的特征是带隙比所述量子阱势垒层的带隙宽。