[发明专利]显示装置的制造方法有效
申请号: | 201280039897.8 | 申请日: | 2012-09-20 |
公开(公告)号: | CN103733727A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 园田通;冈崎庄治;胜井宏充;田中哲宪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/14;H05B33/24;H05B33/26;H05B33/28 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在a—ITO层(112)上形成IZO层(113),至少在子像素(71R、71G)形成膜厚不同的抗蚀剂图案(202R、202G),利用通过灰化实现的抗蚀剂图案(202R、202G)的薄膜化以及通过a—ITO层(112)向p—ITO层(114)的转化来实现的蚀刻耐性的变化,对a—ITO层(112)和IZO层(113)进行蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示装置的制造方法,该显示装置中,至少1个子像素的形成电场的成对的电极中的一个电极具有反射电极层和形成在该反射电极层上的多个透明电极层,在显示色不同的子像素间,所述透明电极层的合计的膜厚不同,所述显示装置的制造方法的特征在于,包括:第一透明电极层成膜工序,形成包含非晶质的透明电极材料的第一透明电极层;第二透明电极层成膜工序,在所述包含非晶质的透明电极材料的第一透明电极层上,形成包含与所述包含非晶质的透明电极材料的第一透明电极层组成不同的透明电极材料的第二透明电极层;第一抗蚀剂图案形成工序,在显示色不同的多个子像素中的至少2个子像素的第二透明电极层上,分别形成膜厚不同的第一抗蚀剂图案;透明电极层图案化工序,以所述第一抗蚀剂图案作为掩模,至少将所述第二透明电极层和包含非晶质的透明电极材料的第一透明电极层蚀刻而图案化;至少1次的透明电极层蚀刻工序,通过灰化将所述多个子像素中的所述第一抗蚀剂图案的膜厚最薄的子像素的第一抗蚀剂图案去除而使第二透明电极层露出,另一方面,使剩余子像素的第一抗蚀剂图案薄膜化后,以所述薄膜化后的第一抗蚀剂图案作为掩模,将露出的第二透明电极层蚀刻去除,或者在所述第二透明电极层的下层存在包含非晶质的透明电极材料的透明电极层的情况下,将所述第二透明电极层和其下层的包含非晶质的透明电极材料的透明电极层蚀刻去除;和第一抗蚀剂图案去除工序,在所述透明电极层蚀刻工序之后,将在所述第一抗蚀剂图案形成工序中形成的第一抗蚀剂图案的膜厚最厚的子像素的第一抗蚀剂图案去除,所述透明电极层蚀刻工序反复进行,直到将所述第一抗蚀剂图案形成工序中形成的第一抗蚀剂图案中的第一抗蚀剂图案的膜厚第二厚的子像素的第二透明电极层蚀刻去除为止,并且所述透明电极层蚀刻工序至少包括:灰化工序,通过灰化将所述第一抗蚀剂图案形成工序中形成的第一抗蚀剂图案的膜厚第二厚的子像素的第一抗蚀剂图案去除而使第二透明电极层露出,另一方面,使所述第一抗蚀剂图案形成工序中形成的第一抗蚀剂图案的膜厚最厚的子像素的第一抗蚀剂图案薄膜化;第二透明电极层蚀刻工序,以所述灰化工序中薄膜化后的、所述第一抗蚀剂图案形成工序中形成的第一抗蚀剂图案的膜厚最厚的子像素的第一抗蚀剂图案作为掩模,将露出的第二透明电极层蚀刻去除;和第一透明电极层结晶化工序,使所述包含非晶质的透明电极材料的第一透明电极层结晶化而使该第一透明电极层转化为多晶的第一透明电极层,所述第一透明电极层结晶化工序在所述灰化工序的上一个工序或所述灰化工序与所述第二透明电极层蚀刻工序之间进行。
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