[发明专利]安装有完整扩散阻挡层的半导体激光器在审
| 申请号： | 201280040057.3 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103782459A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·施里姆佩尔;阿尔弗雷德·菲提施;加比·纽鲍尔 | 申请（专利权）人： | 光谱传感器公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/042;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 戚传江;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体激光器芯片（302）的第一接触（310）表面被形成为具有一表面粗糙度，所述表面粗糙度被选择为具有比扩散阻挡层厚度充分小的最大峰-谷高度。可以将包括非金属导电化合物且具有所述阻挡层厚度的扩散阻挡层施加到第一接触表面，并且通过将焊料组合物加热到比一阈值温度低的温度，利用焊料组合物（306）沿着第一接触表面将半导体激光器芯片焊接到承载底座（304），在所述阈值温度，发生所述阻挡层溶解到焊料组合物中。从而扩散阻挡层保持连续。该非金属导电化合物包括氮化钛、氧氮化钛、氮化钨、氧化铈和氧氮化铈钆中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 装有 完整 扩散 阻挡 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：使半导体激光器芯片的第一接触表面形成为目标表面粗糙度，所述目标表面粗糙度被选择为具有比阻挡层厚度充分小的最大峰‑谷高度；将具有所述阻挡层厚度的阻挡层施加到所述第一接触表面，所述阻挡层包括非金属导电化合物；以及利用焊料组合物沿着所述第一接触表面将所述半导体激光器芯片焊接到承载底座，所述焊接包括通过将所述焊料组合物加热到比一阈值温度低的温度而熔化所述焊料组合物，在所述阈值温度，发生所述阻挡层溶解到所述焊料组合物中。
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