[发明专利]用于含硅和氮的薄膜的干式蚀刻

摘要

现描述一种蚀刻图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氧前驱物所形成的远端等离子体蚀刻。来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，等离子体流出物在基板处理区域中与暴露的含硅与氮材料区域反应。等离子体流出物与图案化异质结构反应，以自暴露的含硅与氮材料区域选择地移除含硅与氮材料，同时非常缓慢地移除其它暴露的材料。含硅与氮材料的选择性部分起因于位于远端等离子体与基板处理区域之间的离子抑制元件的存在。离子抑制元件减少或实质上消除抵达基板的带离子电荷物质的数量。可使用该方法以较氧化硅的移除速率快二十倍以上的速率选择地移除含硅与氮材料。

主权项

一种于基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻经图案化基板的方法，其中该经图案化基板具有暴露的含硅与氮区域，所述方法包括下列步骤：将含氟前驱物及含氧前驱物的每一个流入远端等离子体区域，同时于所述等离子体区域中形成等离子体以产生等离子体流出物，所述远端等离子体区域流通地耦接至所述基板处理区域，其中所述含氟前驱物及含氧前驱物提供的氧对氟原子流比例大于20︰3；以及藉由通过离子抑制器将所述等离子体流出物流入所述基板处理区域，来蚀刻所述暴露的含硅与氮区域，所述离子抑制器经配置以提供高于离子浓度的自由基浓度，且其中所述氧氧化暴露的硅，使得硅畴实质上无法被含氟等离子体流出物蚀刻。