[发明专利]选择性抑制含有硅及氧两者的材料的干式蚀刻速率

摘要

描述了一种在图案化异质结构上抑制对暴露的含硅与氧材料的蚀刻速率的方法，且该方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。使用本文的技术增加选择性的材料的范例包括氮化硅及硅。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氧材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前体组合的远端等离子体形成，前体组合包括含氮前体及含氢前体。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前体的远端等离子体形成。

主权项

一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻图案化基板的方法，其中所述图案化基板具有暴露的含硅与氧区域及第二材料的暴露的区域，所述第二材料的暴露的区域具有与所述暴露的含硅与氧区域不同的化学计量，蚀刻图案化基板的所述方法包含以下步骤：(1)第一干式蚀刻阶段，包含以下步骤：将第一含氟前体及含氢前体的每一个流入远端等离子体区域，所述远端等离子体区域流体耦合至所述基板处理区域，同时在所述远端等离子体区域中形成第一等离子体，以产生第一等离子体流出物，及在所述暴露的含硅与氧区域上形成保护性固态副产物，以形成受保护的含硅与氧区域，其中形成保护性固态副产物包含以下步骤：在喷头中将所述第一等离子体流出物流入所述基板处理区域；(2)第二干式蚀刻阶段，包含以下步骤：将第二含氟前体流入所述远端等离子体区域，同时在所述远端等离子体区域中形成第二等离子体，以产生第二等离子体流出物，及通过将所述第二等离子体流出物通过所述喷头中的通孔流入所述基板处理区域，而相较于所述受保护的含硅与氧区域，更快速地蚀刻所述第二材料的暴露的区域；及(3)通过提升所述图案化基板的温度，自所述受保护的含硅与氧区域升华所述保护性固态副产物。