[发明专利]用于卤化物气相外延系统和方法的直接液体注射

摘要

将复合半导体材料沉积在一个或多个基材（16）上的方法，所述方法包括计量和控制前体液体从前体液体源（22）进入蒸发器（27）的流速。所述前体液体（23）可以包含液体状态的GaCl₃、InCl₃和AlCl₃的至少一种。前体液体（23）可以在蒸发器（27）内蒸发以形成第一前体蒸汽。可以使所述第一前体蒸汽和第二前体蒸汽流入反应室（12），复合半导体材料可以从所述前体蒸汽沉积在所述反应室（12）内的基材（16）的表面上。用于进行这些方法的沉积系统（10）包括用于计量和/或控制前体液体从液体源流动至蒸发器的设备，同时所述前体液体保持为液体状态。

主权项

一种在基材上沉积复合半导体材料的方法，其包括：计量和控制前体液体从前体液体源进入蒸发器的流速，所述前体液体包含液体状态的GaCl₃、InCl₃和AlCl₃的至少一种；在所述蒸发器内蒸发所述前体液体以形成第一前体蒸汽；使所述第一前体蒸汽从所述蒸发器流出至反应室内接近工件基材的表面的区域；使第二前体蒸汽单独地流入所述反应室；以及将复合半导体材料沉积在所述反应室内的所述工件基材的所述表面上，所述复合半导体材料包含来自所述第一前体蒸汽的至少一种元素和来自所述第二前体蒸汽的至少一种元素。