[发明专利]包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法有效
| 申请号： | 201280041260.2 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103765595A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孙宝成 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含在衬底上面延伸的台面。所述台面具有在所述台面的第一侧与第二侧之间的沟道区。第一栅极在所述台面的第一侧上，所述第一栅极包括第一栅极绝缘体及第一栅极导体，所述第一栅极导体包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯。所述栅极导体可包括呈一个或一个以上单层的石墨烯。本发明还揭示一种用于制作所述半导体装置结构的方法；一种包含具有所述所揭示结构的半导体装置的垂直晶体管装置阵列；及一种用于制作所述垂直晶体管装置阵列的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 垂直 晶体管 装置 半导体 结构 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构，其包括：台面，其在衬底上面延伸，所述台面包括：沟道区，其在所述台面的第一侧与第二侧之间；第一栅极，其在所述台面的所述第一侧上，所述第一栅极包括：第一栅极绝缘体；及第一栅极导体，其包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯。
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