[发明专利]碳质膜的制造方法及石墨膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280041428.X 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN103764555A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 三代真琴;太田雄介;稻田敬;西川泰司 申请(专利权)人: 株式会社钟化
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;C01B31/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周欣;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题在于,在基于高分子热分解法制造辊状的碳质膜时,抑制碳质膜熔合。在经过以将高分子膜卷成辊状的状态进行热处理的工序来制造碳质膜的方法中,在该高分子膜的热分解起始温度以上、且相对于热处理开始前高分子膜的重量的重量减少率为40%的温度以下的温度时,为下述辊状高分子膜:(2-1)具有满足以下关系的高分子膜间的间隙:关于辊状高分子膜整体计算出的相邻的该高分子膜间的间隙的厚度即Ts除以该高分子膜的厚度即Tf而得的值即Ts/Tf为0.33~1.50,和/或(2-2)在辊状高分子膜的50%截面圆内具有空间,50%截面圆内的空间所占的面积相对于50%截面圆的截面积为25%以上。
搜索关键词: 质膜 制造 方法 石墨
【主权项】:
一种碳质膜的制造方法,其特征在于,是经过以将高分子膜卷成辊状的状态进行热处理的工序来制造碳质膜的方法,(1)在低于该高分子膜的热分解起始温度的温度时,辊状高分子膜为下述辊状高分子膜:(1‑1)关于辊状高分子膜整体计算出的相邻的该高分子膜间的间隙的厚度即Ts除以该高分子膜的厚度即Tf而得的值即Ts/Tf满足Ts/Tf<0.33、或者Ts/Tf>1.50的关系,且(1‑2)辊状高分子膜的50%截面圆的内侧部分的空间即50%截面圆内的空间所占的面积相对于50%截面圆的截面积低于25%,所述50%截面圆是以辊状高分子膜的中心为圆周的中心、以相对于高分子膜全长从内侧开始50%的膜长度的位置为圆周的一点的辊状高分子膜的截面圆,(2)在该高分子膜的热分解起始温度以上、且相对于热处理开始前的高分子膜的重量的重量减少率成为40%的温度以下的温度时,辊状高分子膜为下述辊状高分子膜:(2‑1)具有满足以下关系的高分子膜间的间隙:关于辊状高分子膜整体计算出的相邻的该高分子膜间的间隙的厚度即Ts除以该高分子膜的厚度即Tf而得的值即Ts/Tf为0.33~1.50,和/或(2‑2)辊状高分子膜的50%截面圆的内侧部分具有空间即50%截面圆内的空间,50%截面圆内的空间所占的面积相对于50%截面圆的截面积为25%以上,所述50%截面圆是以辊状高分子膜的中心为圆周的中心、以相对于高分子膜全长从内侧开始50%的膜长度的位置为圆周的一点的辊状高分子膜的截面圆。
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