[发明专利]电平移位器布局设计有效

专利信息
申请号: 201280041547.5 申请日: 2012-07-12
公开(公告)号: CN103765581B 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 阿尼梅什·达塔;威廉·詹姆斯·古多尔三世 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H03K19/0185
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于体CMOS技术中的电压电平移位器VLS设计的方法和设备。以不同电压电平操作且为电平移位器设计的多位实施方案提供面积和电力节省的多电压电路或VLS。二位VLS用以将位从第一电压电平逻辑移位到第二电压电平逻辑。所述VLS形成有在衬底中的第一N阱。所述VLS形成有在所述衬底中的邻近于所述第一N阱的一侧的第二N阱。所述VLS形成有在所述衬底中的邻近于所述第一N阱的一侧且与所述第二N阱相反的第三N阱。第一一位VLS电路具有形成于所述第一N阱上的部分以及形成于所述第二N阱上的部分。第二位VLS电路具有形成于所述第一N阱上的部分以及形成于所述第三N阱上的部分。
搜索关键词: 电平 移位 布局 设计
【主权项】:
一种用以将两个位中的每一者从第一电压电平逻辑移位到第二电压电平逻辑的多电压电路,其包括:第一N阱,其形成于衬底中;第二N阱,其形成于所述衬底中,邻近于所述第一N阱的一侧;第三N阱,其形成于所述衬底中,邻近于所述第一N阱的与所述第二N阱相反的一侧;第一一位VLS电路,其具有形成于所述第一N阱上的部分以及形成于所述第二N阱上的部分;以及第二一位VLS电路,其具有形成于所述第一N阱上的部分以及形成于所述第三N阱上的部分。
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