[发明专利]电平移位器布局设计有效
申请号: | 201280041547.5 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN103765581B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 阿尼梅什·达塔;威廉·詹姆斯·古多尔三世 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于体CMOS技术中的电压电平移位器VLS设计的方法和设备。以不同电压电平操作且为电平移位器设计的多位实施方案提供面积和电力节省的多电压电路或VLS。二位VLS用以将位从第一电压电平逻辑移位到第二电压电平逻辑。所述VLS形成有在衬底中的第一N阱。所述VLS形成有在所述衬底中的邻近于所述第一N阱的一侧的第二N阱。所述VLS形成有在所述衬底中的邻近于所述第一N阱的一侧且与所述第二N阱相反的第三N阱。第一一位VLS电路具有形成于所述第一N阱上的部分以及形成于所述第二N阱上的部分。第二位VLS电路具有形成于所述第一N阱上的部分以及形成于所述第三N阱上的部分。 | ||
搜索关键词: | 电平 移位 布局 设计 | ||
【主权项】:
一种用以将两个位中的每一者从第一电压电平逻辑移位到第二电压电平逻辑的多电压电路,其包括:第一N阱,其形成于衬底中;第二N阱,其形成于所述衬底中,邻近于所述第一N阱的一侧;第三N阱,其形成于所述衬底中,邻近于所述第一N阱的与所述第二N阱相反的一侧;第一一位VLS电路,其具有形成于所述第一N阱上的部分以及形成于所述第二N阱上的部分;以及第二一位VLS电路,其具有形成于所述第一N阱上的部分以及形成于所述第三N阱上的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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