[发明专利]用于SINx和更好BSF形成的烧透铝膏在审
| 申请号： | 201280041653.3 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103998387A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | D·张;A·沙科赫;S·斯里德哈兰;H·翰特里;H·蒋;G·E·格雷迪 | 申请（专利权）人： | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 |
| 主分类号： | C03C8/08 | 分类号： | C03C8/08;C03C8/22;C03C8/16;C03C8/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 彭飞;林柏楠 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开膏组合物、制备膏组合物的方法、光电池、以及制备光电池触点的方法。膏组合物可包括导电金属组分(例如铝)、磷酸盐玻璃、磷化合物(例如磷酸烷基酯)以及媒介物。通过钝化层上施加膏和烧成膏可在硅片上的钝化层上形成触点。在烧成期间，金属组分可烧透钝化层，从而电接触硅基板。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sinx 更好 bsf 形成 烧透铝膏 | ||
【主权项】：
一种膏组合物，在烧成之前，其包含：导电金属组分；包含磷酸盐玻璃的玻璃组分；以及媒介物。
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