[发明专利]利用可消耗电极真空电弧冶炼工艺来精炼类金属有效
申请号: | 201280041741.3 | 申请日: | 2012-08-15 |
公开(公告)号: | CN103764880B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 雷蒙·J·罗伯茨 | 申请(专利权)人: | 康萨克公司 |
主分类号: | C30B13/00 | 分类号: | C30B13/00;C01B33/037;C30B29/06 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;王智 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 通过CEVAR精炼工艺来精炼预加热的硅电极的形式的类金属诸如硅,该CEVAR精炼工艺在利用低矮CEVAR底部打开式坩埚在CEVAR熔炉系统中熔融预加热的电极之后,通过受控加热和冷却来生产铸块。 | ||
搜索关键词: | 利用 消耗 电极 真空 电弧 冶炼 工艺 精炼 金属 | ||
【主权项】:
在可消耗电极真空电弧冶炼CEVAR精炼制程中来自硅电极的硅铸块的制造方法,在放置在CEVAR熔炉中的CEVAR底部打开式坩埚中执行所述CEVAR精炼制程,所述方法包括:在起始所述CEVAR精炼制程之前,将所述硅电极加热至低于所述硅电极的熔点的加热的温度,以形成具有CEVAR制程电阻率的预加热的硅电极;利用所述CEVAR精炼制程熔融所述预加热的硅电极,以用于在高温下在所述CEVAR底部打开式坩埚的打开底部形成硅铸块;使所述硅铸块在高温下通过毗邻于所述CEVAR底部打开式坩埚的加热系统;以及调节加热系统,以便随着所述硅铸块退出所述CEVAR底部打开式坩埚时,为处于高温的所述硅铸块提供温控热环境,以在不裂解的情况下冷却所述硅铸块。
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