[发明专利]带凹凸结构膜的玻璃基板的使用干式蚀刻的制造方法、带凹凸结构膜的玻璃基板、太阳能电池及太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201280042015.3 | 申请日: | 2012-08-29 |
公开(公告)号: | CN103765603A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 寺前文晴;难波江宏一;北野司;近藤俊行;铃木敦志;森绿 | 申请(专利权)人: | 崇高种子公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/20;C03C17/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供通过干式蚀刻精度良好地赋予微细的凹凸结构的带凹凸结构膜的玻璃基板的使用干式蚀刻的制造方法、带凹凸结构膜的玻璃基板、太阳能电池及太阳能电池的制造方法。在对由干式蚀刻时的蒸气压相互不同的多个氧化物构成的玻璃基板赋予凹凸结构时,包括在玻璃基板的平坦的表面形成由单一材料构成的被加工膜的被加工膜形成工序和利用干式蚀刻在被加工膜的表面形成周期性的凹凸结构的凹凸结构形成工序,通过干式蚀刻精度良好地赋予微细的凹凸结构。 | ||
搜索关键词: | 凹凸 结构 玻璃 使用 蚀刻 制造 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种带凹凸结构膜的玻璃基板的使用干式蚀刻的制造方法,包括:被加工膜形成工序,在由干式蚀刻时的蒸气压相互不同的多个氧化物构成的玻璃基板的平坦的表面形成由单一材料构成的被加工膜;凹凸结构形成工序,在所述被加工膜的所述表面,利用干式蚀刻形成周期性的凹凸结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的