[发明专利]Si/C复合材料、其制造方法以及电极有效
| 申请号： | 201280042016.8 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN104040763B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 京谷隆;西原洋知;岩村振一郎 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M4/134;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/587 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 梁海莲,余明伟 |
| 地址： | 日本国宫*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种将硅和碳以到目前为止不存在的结构进行复合而得到的复合材料及其制造方法，以及充放电容量高且循环性能高的锂离子的负极材料。对纳米尺寸的硅粒子的集合体进行加热并通过含有碳的原料气体来在各硅粒子形成碳素层。通过该碳素层，形成划分出内含了硅粒子（11）的空间（13a)和未内含硅粒子（11）的空间(13b)的壁（12）。 | ||
| 搜索关键词： | si 复合材料 制造 方法 以及 电极 | ||
【主权项】：
一种复合材料，其特征在于包括:纳米尺寸的多个硅粒子凝缩而成的凝缩体、以及形成在所述凝缩体的面上的包括碳素层的壁，所述壁能够伸缩，呈褶皱状，所述壁划分出内含所述各硅粒子的区域与未内含所述各硅粒子的区域；所述复合材料采用以下任一种方法制得：方法一：对纳米尺寸的硅粒子的集合体进行加热并通过含有碳的原料气体而在各硅粒子形成碳素层，由此用于划分出内含了各硅粒子的空间和未内含各硅粒子的空间的壁采用所述碳素层形成，之后，维持在比形成所述碳素层时的温度更高的温度来进行热处理；方法二：对纳米尺寸的硅粒子的集合体进行加热，采用脉冲CVD法通过含有碳的原料气体而在各硅粒子形成碳素层，由此用于划分出内含了各硅粒子的空间和未内含各硅粒子的空间的壁采用所述碳素层形成。
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