[发明专利]低熔体粘度液晶聚合物的熔融聚合有效
申请号: | 201280042148.0 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN103764741A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | K·P·纳伊尔;S·D·格雷 | 申请(专利权)人: | 提克纳有限责任公司 |
主分类号: | C08K5/20 | 分类号: | C08K5/20;C09K19/22;C09K19/30;C09K19/32;C09K19/34;C09K19/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 汪宇伟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种用于形成高分子量液晶聚合物的方法。该方法包括在芳族酰胺低聚物存在下,熔融聚合两种或更多种前体单体(例如乙酰化或非乙酰化)。本发明人已发现,这样的低聚物可在粘性聚合物形成时降低其熔体粘度。在熔融聚合期间原位降低熔体粘度的能力,使得能够形成展现低熔体粘度的,并且在其中不固化的情况下仍可从反应器容器中移除的高分子量聚合物。这不仅改善工艺的便利性,而且允许达到甚至高于常规实践的分子量。 | ||
搜索关键词: | 低熔体 粘度 液晶 聚合物 熔融 聚合 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成液晶聚合物的方法,该方法包括在芳族酰胺低聚物存在下熔融聚合两种或更多种单体,其中单体是该液晶聚合物的前体,且此外其中该芳族酰胺低聚物具有以下通式(I):其中,环B为6元芳族环,其中1-3个环碳原子任选地使用氮或氧替代,其中各氮任选地被氧化,及其中环B任选地经稠合或连接至5或6元芳基、杂芳基、环烷基或杂环基;R5为卤素、卤代烷基、烷基、烯基、芳基、杂芳基、环烷基或杂环基;m为0-4;X1及X2独立地为C(O)HN或NHC(O);及R1及R2独立地选自芳基、杂芳基、环烷基及杂环基。
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