[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201280042349.0 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103782389A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 日吉透;增田健良;和田圭司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在n型碳化硅衬底（90）上形成p型集电极层（101e）。在集电极层（101e）的顶表面侧上形成n型漂移层（102）。形成设置在漂移层（102）上的p型体区（103）以及设置在体区（103）上以通过体区（103）与漂移层（102）分离的n型发射极区（204）。通过移除碳化硅衬底（90）来暴露集电极层（101e）的底表面侧（101B）。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅半导体器件（100e，200e）的方法，包括以下步骤：在具有n型的碳化硅衬底（90）上形成集电极层（101e），所述集电极层具有面对所述碳化硅衬底的底表面侧（101B）和与所述底表面侧相反的顶表面侧（101T），并且具有p型；在所述集电极层的所述顶表面侧上形成具有n型的漂移层（102）；形成体区（103，203）和发射极区（104，204），所述体区设置在所述漂移层上并且具有p型，所述发射极区设置在所述体区上以通过所述体区来与所述漂移层分离并且具有n型；在所述体区上形成栅极绝缘膜（108，208）以连接所述漂移层和所述发射极区；在所述栅极绝缘膜上形成栅电极（109，209）；以及通过移除所述碳化硅衬底来暴露所述集电极层的所述底表面侧。
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