[发明专利]曝光装置、曝光方法、元件制造方法、程序及记录媒体有效
申请号: | 201280042481.1 | 申请日: | 2012-07-19 |
公开(公告)号: | CN103765555A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 佐藤真路 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的曝光装置是通过液体以曝光用光使基板曝光。曝光装置,具备:具有曝光用光射出的射出面的光学构件、包含将基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部以及用以规定可配置基板的开口且具有在基板被保持于第1保持部保持的状态下配置在基板上面周围的上面的第1构件的基板保持装置、以及至少一部分配置在基板与第1构件间的间隙且具有对液体为拨液性的上面的多孔构件。曝光装置通过多孔构件回收流入间隙的液体的至少一部分。 | ||
搜索关键词: | 曝光 装置 方法 元件 制造 程序 记录 媒体 | ||
【主权项】:
一种曝光装置,其特征在于,通过液体以曝光用光使基板曝光,具备:光学构件,具有所述曝光用光射出的射出面;基板保持装置,包含将所述基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及用以规定可配置所述基板的开口、具有在所述基板被保持于所述第1保持部保持的状态下配置在所述基板的上面周围的上面的第1构件;以及多孔构件,至少一部分配置在所述基板与所述第1构件间的间隙、具有对所述液体为拨液性的上面;通过所述多孔构件回收流入所述间隙的所述液体的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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