[发明专利]用于线性沉积腔室中的气体分布与等离子体应用的方法与设备无效

专利信息
申请号: 201280042485.X 申请日: 2012-09-06
公开(公告)号: CN103797156A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: H·P·穆格卡;A·S·波利亚克;M·S·考克斯 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/54;H01J37/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 高见
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 描述用于处理基板的方法与设备。本发明的一个实施例提供用于形成薄膜的设备。设备包括腔室、等离子体源与至少一个气体注入源,腔室界定内部体积,等离子体源设置在内部体积中而至少一气体注入源设置成邻近内部体积中的等离子体源,其中至少一个气体注入源包括用于输送气体至内部体积的第一通道与第二通道,第一通道在第一压力或第一密度下输送气体而第二通道在第二压力或第二密度下输送气体,第一压力或第一密度不同于第二压力或第二密度。
搜索关键词: 用于 线性 沉积 中的 气体 分布 等离子体 应用 方法 设备
【主权项】:
一种用于在基板上形成薄膜的设备,包括:腔室,所述腔室界定内部体积;等离子体源,所述等离子体源设置于所述内部体积中;以及至少一个气体注入源,所述至少一个气体注入源设置成邻近于所述内部体积中的所述等离子体源,其中所述至少一个气体注入源包括用于输送气体至所述内部体积的第一通道与第二通道,所述第一通道在第一压力或第一密度下输送气体而所述第二通道在第二压力或第二密度下输送气体,所述第一压力或所述第一密度不同于所述第二压力或所述第二密度。
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