[发明专利]成膜方法及存储介质

摘要

提供一种成膜方法，其在使用等离子体CVD法形成例如作为太阳能电池的发电层的硅膜时能够控制硅膜的结晶性，其组合第1工序（预混合）和第2工序（后混合），上述第1工序是预先混合氢气与单硅烷气体，使该混合气体等离子体化而在基板（S）上使硅膜（F1）成膜的工序；上述第2工序是分开供给氢气和单硅烷气体并进行等离子体化，使硅膜（F2）成膜的工序。作为组合的例子，可举出通过预混合在基板（S）上形成硅膜（F1），通过后混合在该硅膜（F1）上形成硅膜（F2）的方法；在基板（S）上交替多次成膜硅膜（F1）和（F2）的方法等。

主权项

一种成膜方法，其特征在于，是通过等离子体对载置于处理容器内的基板进行成膜的方法，其中，包括：第1工序，将预先混合了硅烷系的气体和氢气而成的混合气体供给至所述处理容器内并进行等离子体化，通过所得等离子体在所述基板上使第1硅层成膜；以及第2工序，将氢气供给至所述处理容器内并进行等离子体化，并且与氢气分开地将硅烷系的气体供给至所述处理容器内，通过等离子体化的氢气使所述硅烷系的气体自由基化，通过由此生成的自由基在所述基板上使第2硅层成膜。