[发明专利]具有增强的RF性能的MEMS可变电容器在审
| 申请号： | 201280042774.X | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103907166A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯托·彼得勒斯·范－卡普恩;阿奈兹·乌纳穆诺;理查德·L·奈普;维克拉姆·乔希;罗伯特·加迪;永田寿幸 | 申请（专利权）人： | 卡文迪什动力有限公司 |
| 主分类号： | H01G5/16 | 分类号： | H01G5/16 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在MEMS装置中，膜着陆在RF电极上的方式可以影响装置性能。放置在RF电极上的凸块或限位器可以用于控制膜的着陆，从而控制MEMS装置的电容。可以调整凸块或限位器的形状和位置使之适应，使得即使在施加过电压时也确保膜的正确着陆。另外，凸块或限位器可以应用在膜本身上以控制膜在MEMS装置的顶部或上电极上的着陆。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 rf 性能 mems 可变电容器 | ||
【主权项】：
一种MEMS可变电容器，其包含：衬底，其具有设置在其中的一个或更多个控制电极和一个或更多个RF电极；上电极；和在所述衬底和所述上电极之间可移动的膜，其中所述衬底和所述膜中的一个或更多个具有形成于其上的凸块，以控制所述膜与所述上电极或与所述一个或更多个控制电极和一个或更多个RF电极两者之间的间隔。
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