[发明专利]具有绕通连接的光伏电池有效

专利信息
申请号: 201280042837.1 申请日: 2012-07-02
公开(公告)号: CN103765602B 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 吴宇;兰伯特·约翰·格尔里格斯;约翰尼斯·阿德里亚努斯·玛丽亚·范罗斯马伦;小松雄尔;N·吉耶万 申请(专利权)人: 荷兰能源研究中心基金会
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 代理人: 归莹;张颖玲
地址: 荷兰*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 已知的绕通连接的光伏电池具有在其后表面上的两极的输出端子,其中一个端子通过所述绕通连接耦合到前表面。本发明的太阳能电池通过在所述后表面上形成发射极层进行制造。电极材料被施加在所述后表面上的相互分离的第一区和第二区中。所述第一区中的电极材料与所述发射极接触。所述第二区覆盖孔的周围,以提供所述后表面上的连接。所述第二区中的电极材料位于所述发射极上,并且所述第二区周围的发射极通过沟道中断。在所述前表面上,另一区的电极材料施加在所述孔上。如果必要,那么所述后表面上的第二区中的电极材料施加在支撑表面上,所述支撑表面基本上与所述第一区下方横向流经发射极层的电流电隔离。
搜索关键词: 具有 通连 电池
【主权项】:
1.一种制造光伏电池的方法,所述光伏电池在后表面上相互分离的第一区和第二区中具有电极材料,所述方法包括:/n-提供具有前表面和后表面的第一导电类型的半导体本体,其中至少一个孔从所述前表面到所述后表面贯穿所述半导体本体;/n-在所述半导体本体上至少相邻于所述后表面形成第二导电类型的无定形半导体发射极层,该第二导电类型的无定形半导体发射极层的厚度小于100纳米,该第二导电类型的无定形半导体发射极层在整个后表面延伸,而不在所述前表面延伸;/n-在所述第二导电类型的无定形半导体发射极层上添加导电层,所述导电层比所述第二导电类型的无定形半导体发射极层的导电性更高,其中,导电性更高的所述导电层被选择性地不沉积或选择性地移除,或至少较少地存在于孔周围的第二区中的导电材料之下,或者所述导电层的一部分在第二区中而剩余部分在第一区中,所述导电层在第二区中的部分通过沟道与第一区中的剩余部分隔绝,其中所述导电层被选择性地不沉积或选择性地移除;/n-在所述后表面上的相互分离的第一区和第二区中施加电极材料,所述第一区中的电极材料与所述第二区以外的所述第二导电类型的无定形半导体发射极层电接触,所述第一区在所述后表面上沿所述第二区的所有边围绕所述第二区,所述第二区的电极材料覆盖所述后表面上的孔,所述第二区中的电极材料被施加在所述第二导电类型的无定形半导体发射极层上或所述导电层在第二区中的部分上;/n-所述半导体本体在所述第二区上、所述第二区的所有边上的所述第一区、第一区与第二区之间以及中断下连续延伸。/n
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