[发明专利]带碱金属阻挡层的玻璃基板及带透明导电性氧化物膜的玻璃基板无效
申请号: | 201280042971.1 | 申请日: | 2012-09-05 |
公开(公告)号: | CN103781737A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 林英明;箕轮明久;关淳志;东诚二;广松邦明;冈畑直树 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C03C17/245 | 分类号: | C03C17/245;B32B9/04;B32B17/00;C03C17/34;C23C16/40;H01L31/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供碱金属阻挡性优异的带碱金属阻挡层的玻璃基板。本发明是一种带碱金属阻挡层的基板,其是在玻璃基板上形成有碱金属阻挡层的带碱金属阻挡层的玻璃基板,其特征在于,所述碱金属阻挡层由硅(Si)和锡(Sn)的混合氧化物构成。 | ||
搜索关键词: | 碱金属 阻挡 玻璃 透明 导电性 氧化物 | ||
【主权项】:
带碱金属阻挡层的玻璃基板,其是在玻璃基板上形成有碱金属阻挡层的带碱金属阻挡层的玻璃基板,其特征在于,所述碱金属阻挡层由硅(Si)和锡(Sn)的混合氧化物构成,将所述碱金属阻挡层的膜厚设为L(nm)时,所述混合氧化物的硅(Si)和锡(Sn)的比例在膜厚方向上发生变化,锡(Sn)相对于所述混合氧化物中的硅(Si)和锡(Sn)的总和的摩尔比Sn/(Si+Sn)的极小值位于满足如下条件的位置:在所述碱金属阻挡层的膜厚方向上,与所述碱金属阻挡层的界面中的玻璃基板侧的界面的距离为0.2L~0.8L;所述极小值是所述摩尔比的最大值的0.5倍以下。
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