[发明专利]晶体层叠结构体及其制造方法在审
| 申请号： | 201280043330.8 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103781948A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C23C14/08;C30B29/22;H01L21/203;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够使晶体高效地外延生长在β-Ga2O3系基板上得到高品质的β-Ga2O3系晶体膜的晶体层叠结构体及其制造方法。提供晶体层叠结构体2，包含：具有从（100）面旋转50°～90°的面作为主面10的β-Ga2O3系基板1；和通过外延晶体生长形成在β-Ga2O3系基板1的主面10上的β-Ga2O3系晶体膜2。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 层叠 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体层叠结构体，包含：β‑Ga2O3系基板，具有从（100）面旋转50°～90°而成的面作为主面；和β‑Ga2O3系晶体膜，通过外延晶体生长形成在所述β‑Ga2O3系基板的所述主面上。
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