[发明专利]双室结构的脉冲等离子体室

摘要

本发明提供了用于在双室结构的脉冲等离子体室中处理半导体衬底的系统、方法和计算机程序。晶片处理装置具有由板分隔的上室和下室，该板流体连接上室至下室，该晶片处理装置包括连续波(CW)控制器、脉冲控制器，以及系统控制器。CW控制器能操作以设置用于与所述上室中的上电极耦合的第一射频(RF)功率源的电压和频率。脉冲控制器能操作以设置用于由耦合到所述下室中的下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的电压、频率、接通期间的持续时间，以及断开期间的持续时间。

主权项

一种具有由板分隔的上室和下室的晶片处理装置，该板将所述上室流体连接到所述下室，该晶片处理装置包括：连续波（CW）控制器，其能操作以设置用于耦合到所述上室中的上电极的第一射频（RF）功率源的电压和频率；脉冲控制器，其能操作以设置用于通过耦合到所述下室中的下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的电压、频率、接通期间的持续时间，以及断开期间的持续时间；以及系统控制器，其能操作以设置用于所述CW控制器和所述脉冲控制器的参数来调节在所述室的操作过程中从所述上室通过所述板到所述下室的物质的流量，其中所述物质的流量有助于在断开期间的余辉过程中负离子蚀刻以及中和在所述晶片表面上的过量正电荷，并有助于在所述接通期间的过程中再激发所述下室中的等离子体。