[发明专利]薄膜光电转换装置及其制造方法

摘要

本发明涉及含有非晶质锗光电转换层（53）的薄膜光电转换装置。本发明的薄膜光电转换装置包含非晶质锗光电转换单元（5），其在p型半导体层（51）和n型半导体层（54）之间具有实质上本征的、且实质上不含硅原子的非晶质锗光电转换层（53）。在一种实施方式所涉及的本发明的薄膜光电转换装置中，在比非晶质锗光电转换单元（5）更接近光入射侧，配置了具有晶质硅光电转换层（43）的晶质硅光电转换单元（4）。在一种实施方式中，优选非晶质锗光电转换单元（5）在波长900nm的量子效率为30%以上。

主权项

薄膜光电转换装置，其为在基板上将第一电极层、2个以上的光电转换单元、以及第二电极层按该顺序而配置的多结薄膜光电转换装置，其中，所述光电转换单元各自在p型半导体层和n型半导体层之间具有实质上本征的光电转换层，所述2个以上的光电转换单元中的1个为非晶质锗光电转换单元，所述非晶质锗光电转换单元具有实质上不含硅原子的非晶质锗光电转换层，在比所述非晶质锗光电转换单元更接近光入射侧，配置了具有晶质硅光电转换层的晶质硅光电转换单元，在所述非晶质锗光电转换单元中，在所述p型半导体层和所述非晶质锗光电转换层之间，具有由实质上本征的非晶质硅半导体形成的界面层，所述界面层的膜厚度为1nm～10nm。